三星计划在9月4日展示3nm GAA工艺是它研发？当然不是！_风闻

huohuo-揭露事物本质，观点犀利，远超某些大V及智库-2019-07-31 12:03

2019-07-31

三星计划在9月4日展示3nm GAA工艺是它研发？

原新闻:https://www.guancha.cn/industry-science/2019_07_31_511684.shtml?s=sygdkx

来看3年前的行业新闻：

比利时微电子(IMEC)在2016国际电子元件会议(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中**首度提出由硅纳米线垂直堆叠的环绕式闸极(GAA)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)**的CMOS集成电路，其关键技术在于双功率金属闸极，使得n型和p型装置的临界电压得以相等，且针对7纳米以下技术候选人，IMEC看好环绕式闸极纳米线晶体管(GAA NWFET)会雀屏中选。

比利时微电子研究中心与全球许多半导体大厂、系统大厂均为先进工艺和创新技术的合作伙伴；其中，在CMOS先进逻辑微缩技术研究的关键伙伴包括有台积电、三星电子(Samsung Electronics)、高通(Qualcomm)、GlobalFoundries、美光(Micron)、英特尔(Intel)、SK海力士(SK Hynix)、Sony、华为等。

针对半导体7纳米以下工艺，究竟谁可以接棒FinFET技术？比利时微电子研究中心表示，目前看起来环绕式闸极纳米线晶体管(GAA NWFET)是最有可能成功突破7纳米以下FinFET工艺的候选人。

比利时微电子进一步分析，因为GAA NWFET拥有高静电掌控能力，可以实现CMOS微缩，在水平配置中，也是目前主流FinFET技术的自然延伸，可以通过垂直堆叠多条水平纳米线来最大化每个覆盖区的驱动电流。

再者，比利时微电子研究中心也研究新的结构对于原来静电放电(ESD)表现的影响，且发表静电放电防护二极体，让GAA纳米MOSFETs的发展有突破，间接帮助鳍式场效晶体管(FinFET)持续往更先进工艺技术发展。

2016年比利时微电子研究中心展示了垂直堆叠、由直径8纳米的硅纳米线所制成的GAA FET，这些晶体管的静电控制由n-FETs和p-FETs制作而成，具有n型和p型元件的相同临界电压，因为积体电路技术中的关键是双功函数金属闸极的使用，使得n-FET和p-FET的临界电压得以独立设置。

且在该步骤中，P型功函数金属(PWFM)在所有元件中的沟槽式闸极使用，然后使用选择性蚀刻P型功函数金属到纳米结晶性铪氧化物(HfO2)到n-FET，随后利用N型功函数金属。

另外，针对关键静电放电(ESD)影响，比利时微电子提出两种不同的静电放电防护二极管，分别为闸二极体和浅沟槽隔离(STI)二极体。其中，STI二极体因为在二次崩溃电流(It2)与寄生电容的比率上表现较佳，所以认为是较好的静电放电防护元件。

再者，测量和TCAD模拟也证明，与块状基板式鳍式晶体管(Bulk FinFET)二极体相比，GAA纳米线二极体维持了静电放电的表现。

比利时微电子研究中心的逻辑装置与集成电路总监Dan Mocuta表示，在GAA硅质CMOS技术、静电放电防护结果方面的集成电路技术，是实现7纳米或以下工艺的重要成就。