10nm 7nm这样的芯片制程工艺是代工厂台积电这类代工厂研发？错！错！错！_风闻

我们已经清楚的知道没有美国欧洲的半导体设备欧美马甲代工厂三星 台积电造不出芯片！

那么没有美国欧洲基础理论研究，制程工艺研究那些代工厂就可以么？！

我们来先看一些电子行业的新闻

1. 台积电联手比利时IMEC公司，合力开发22nm制程技术

2009年10月07日 18:54 2最近芯片制造业各大巨头连连作出合并动作，继不久前GF的大股东ATIC买下新加坡特许半导体之后，最近台积电与比利时IMEC公司也正式签署了合作开发 协议，双方将协力进行混合信号IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有关技术产品的研发工作。此前两家公司实际上已经开始在进行紧密协作，不过这次的协 议签订则令双方的合作关系由“同居”转为“正式结婚”。双方合作过程中，IMEC公司将主要负责研发设计方面，而台积电则将负责产品的实际生产。为此，IMEC公司已经开始着手改善自己的产品设计与台积电现有制程技术之间的兼容性，以确保将来设计出来的产品能在台积电进行大量生产。两家公司将合力开发22nm级别制程技术，而IMEC则将成为台积电公司在欧洲的一处研发基地2. 2017ARM同IMEC展开合作：推动7nm芯片工艺发展

*7月13日消息，英国处理器知识产权授权商ARM控股公司与比利时微电子研究机构（IMEC）签署协议，ARM将加入后者的INSITE项目，*该项目在2009年启动，重点是推动7nm及以下芯片工艺节点设计，目前已有超过10家参与机构。

在一份IMEC发表的声明中，ARM公司的首席执行官Simon Segars表示，“优化先进的纳米技术节点是非常复杂的，它需要将精力集中在诸如模形和功率等领域面临的挑战上。”

3 。突破半导体次元壁！IMEC首次公布：14埃米工艺路线图 2017-05-25

随着半导体发展脚步接近未来的14埃米（即纳米的十分之一），工程师们可能得开始在相同的芯片上混合FinFET和纳米线或穿隧FET或自旋波晶体管，他们还必须尝试更多类型的内存；另一方面，14埃米节点也暗示着原子极限不远了…

在今年的Imec技术论坛(ITF2017)上，**Imec半导体技术与系统执行副总裁An Steegen展示最新的半导体开发蓝图，预计在2025年后将出现新制程节点——14埃米(14A；14-angstrom)。这一制程相当于从2025年的2nm再微缩0.7倍；**此外，新的占位符号出现，显示制程技术专家乐观看待半导体进展的热情不减。

Steegen指出：“我们仍试图克服种种困难，但如何实现的途径或许已经和以前所做的全然不同了。”

14埃米节点也暗示着原子极限不远了。单个砷原子(半导体所使用的较大元素之一)大约为1.2埃。

随着半导体发展脚步接近未来的14埃米，工程师们可能得开始在相同的芯片上混合鳍式场效晶体管(FinFET)和纳米线或穿隧FET或自旋波晶体管。他们将会开始尝试更多类型的内存，而且还可能为新型的非冯·诺依曼计算机(non-Von Neumann)提供芯片。

短期来看，Steegen认为业界将在7nm采用极紫外光(EUV)微影技术、FinFET则发生在5nm甚至3nm节点，而纳米线晶体管也将在此过程中出现。

如今，14埃米节点还只是出现在简报上的一个希望 （来源：Imec）*

Steegen表示：“从事硬件开发工作的人员越来越有信心，相信EUV将在2020年初准备好投入商用化。经过这么多年的努力，这一切看来正稳定地发展中。”

Imec是率先安装原型EUV系统的公司，至今仍在鲁汶(Leuven)附近大学校园旁的研究实验室中持续该系统的开发。

4。10纳米硅晶体管FinFET发明人、IEEE Fellow 俞滨教授

2017-12-11 13:24俞滨教授简介：浙江大学1985届半导体物理与器件本科毕业生，1988届同专业硕士毕业生，后留校任教。1993年应半导体界的大师胡正明教授邀请前往美国加州大学伯克利分校电子工程与计算机科学系以全额奖学金攻读博士学位，在胡正明教授指导下从事超大规模集成半导体芯片技术研究。1997年获博士学位后任美国AMD公司高级研究员。2003年起任美国加州大学纳米研究中心资深研究员。2007年担任美国斯坦福大学电子工程系顾问教授。2008年起在美国纽约州立大学奥尔巴尼分校的纳米科学与工程学院任终身教授。因在硅基半导体晶体管等比例缩小方面的杰出贡献，于2007年当选为IEEE Fellow。曾获IBM学术奖、IEEE杰出讲座奖等，担任浙江大学微电子学与固体电子学“长江学者”讲座教授，国家“千人计划”讲座教授，浙江大学校友总会理事。

在人们预见摩尔定律（Moore’s Law）难以为继之时，鳍式三维晶体管FinFET（Fin Field-Effect Transistor）诞生了，让Moore定律到今天还能得以延续。我们今天用的手机、电脑、网络所有这一切的性能得以继续提高，全赖于胡正明教授及其合作者发明的FinFET。俞滨教授就是胡正明教授的合作者之一。

北京时间2017年11月5日上午（美东时间为11月4日晚上），应求是缘半导体联盟常务理事斯笑岷先生邀约，通过微信语音，求是缘半导体联盟有幸采访到了远在美国的俞滨教授。他是10纳米硅晶体管FinFET的发明人（2002年）、IEEE Fellow*，获三百多项美国专利和数十项欧洲、日本、台湾专利，是全球半导体业界拥有最多发明专利的研发人员之一，他迄今共发表超过250篇研究论文，并且有超过100场国际会议以及全球学术界、工业界的邀请报告。现在，他在美国纽约州立大学奥尔巴尼分校（University at Albany, The State University of New York）纳米科学与工程学院任教授，创办了微纳器件与系统实验室、纳电子学研究中心，始终对各种新兴科技保持着浓厚的兴趣。

在与俞滨教授语音采访的两个小时中，他数次提到站在全球科技最前沿、科技无国界（科学家有国界，专利有国界）

为人类技术文明进步做贡献。我们深深地为俞教授的开放性、国际性视野和专注折服。

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目前能做到10nm 7nm靠的就是美国发明的鳍式三维晶体管FinFET，IMEC再去研发制程工艺！

IMEC在其中发挥了两个关键性的桥梁作用，一是连接了学术界和产业界，IMEC从高校基础研究中挑选出百分之几的可产业应用的技术，继而与产业界联合研发，这一桥梁中，**高校（“小试”）、IMEC（“中试”）和企业（即量产）**的作用分别相当于“小试”、“中试”和“大试”（即量产）；

二是连接了设备商（含材料商）和制造商，两者在工艺研发阶段就能进行先期技术对接，当工艺成熟后，设备商的最先进设备可顺利用于制造商的工艺线

那么那些代工厂台积电 三星 中芯国际之间为何有差别？

那些代工厂的差别类似于同一老师教出来的学生各不同。但学生以后可能会超过老师，而 三星 台积电这样的代工厂必须一直依靠欧美的核心技术 设备才能量产！几十年来一直如此，三星 台积电永远毕不了业！而且同样是合作，但是层次也是不一样的，同一老师教的也东西不一样！

30多年前飞利浦以技术入股跟代工岛合资原材料 设备 工艺全部被外国控制的，现在80%是外资的代工厂台积电是IMEC所主持的研发联盟之核心成员。

而中芯国际2015年跟imec合作是“Imec provides support [developing] the 14 nm process,very strictly following export controls,” he said.

中国必须在基础理论  ，设备，制程工艺全面的接近或超过欧美，才有可能在半导体制造领域世界一流！