晋华的最大败笔是把研发中心设在境外？_风闻

前不久，镁光起诉晋华侵权的诉讼已遭美国联邦法院驳回，理由是晋华的产品并没有在美国销售，即使晋华有侵权的事实，美法院也没有管辖权。

不过即便如此，镁光也可以再补强证据，继续起诉，把诉讼周期拉长。另外，本次被驳回的侵权起诉和美国司法部出面指控福建晋华、联电非法取得 DRAM 存储技术并非同一个案件，也就是说，即便美国联邦法院驳回起诉，也不意味着晋华就此脱困。

对于本次事件，有业内人士分析，晋华最大的败笔就是在技术上过于依赖联电，以及没有把研发中心设在境内。

联电和镁光之间最初只是商业纠纷

近年来，在中国大陆企业力图收购或入股镁光、SK海力士、闪迪/西部数据未能如愿之后，中国大陆企业放弃了直接收购的计划，选择了高薪挖人的方式，直接以2倍、3倍、4倍的薪酬从境外公司挖人。

镁光在中国台湾的合资公司华亚科等企业则是重点挖人对象之一，据媒体报道，已经有数百名员工跳槽到中国大陆的长江存储、合肥睿力等企业。

根据镁光公司公布的资料，一位跳槽的员工通过闪存盘盗取了公司的技术资料，然后交给了新东家联华电子公司的高管，属于“带枪叛逃”。随即镁光在去年2月和9月分别在中国台湾和美国对联电提起诉讼。

由于晋华在存储芯片上缺乏技术积累，选择了与联电合作的技术引进道路，由晋华出资，委托联电开发 DRAM 相关技术。根据中国台湾“地检署”公布的资料，晋华提供三亿美元资金采购研发设备，并依进度陆续支付联电四亿美元，开发出的技术成果双方共有，整体技术完成后，再转移到晋华进行量产。

由于晋华和联电的这种关系，使镁光和联电的纠纷波及到晋华。随后，联电和晋华在大陆对镁光发起了诉讼，联电和晋华认为，包括镁光MX500系列的2TB、1TB、500GB、250GB 2.5英寸的固态硬盘的数款产品存在侵权行为。

到这个阶段为止联电、晋华和镁光的矛盾还处于商业纠纷的阶段，并没有被政治化。

晋华是为联电挡枪

真正把镁光逼急了的是福州中院的一个裁定——福州市中级人民法院做出了一个非常有智慧的裁定，要求镁光立即停止销售、进口十余款英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。

这里说明一下，裁定仅用于解决程序性问题，也就是说，法院并没有认定镁光的数款产品存在侵权行为。该裁定只是为了防止在诉讼审理期间，镁光在中国内地销售产品、开展业务的活动可能会对联电和晋华造成的利益损失。

但这种裁定虽然没有就实体部门做出任何裁决，但起到的作用和镁光败诉的效果没两样，这就使镁光非常难受。因此，镁光游说美国相关部门，要求美国政府出面施加压力，也是情理之中。

接着，晋华就被制裁了。根据美国商务部公开的资料，之所以制裁晋华，主要是因为晋华“涉嫌参与违反美国国家安全利益的活动，构成了重大风险”，至于证据什么的一概没提。可以说，原本一起商业纠纷，被一些人利用之后过度政治化，这就是晋华被制裁的原因之一。

从整个过程来看，本次晋华实际上是给联电挡枪。

因为与镁光存在知识产权纠纷的是联电，而不是晋华。晋华只不过是出钱委托联电研发技术，然后通过技术转让的方式，获得联电研发的技术成果，联电在研发DRAM技术过程中，是否存在侵犯知识产权的情况，这与晋华无关。

即便镁光和联电存在知识产权纠纷，那也应该由镁光和联电这对当事人之间解决，不应该由案外第三人晋华来承担负面后果。在整个事件中，即便要找责任承担者，也应该是联电，而不是晋华，晋华只不过找合作伙伴的时候遇人不淑，纯属躺着中枪。

正是因此，工信部部长苗圩在1月29日表示，去年10月份以后，美国商务部泛化了国家安全的概念，滥用出口管制措施，以所谓“可能使用了来自美国的技术，威胁到了美国的军事系统基本供应商的长期生存能力”为由，用“可能使用了”、“可能威胁到了”等理由，对福建一家还在建设过程当中、产品还没有量产的企业实施了出口管制，“我们认为是站不住脚的”。

技术依赖联电 研发中心设在境外成为败笔

目前，长江存储、福建晋华、合肥长鑫是中国存储芯片的三驾马车。其中，以长江存储的表现最好。此前，紫光集团董事长赵伟国就表示，2019年量产64层128Gb的3D NAND，并同步研发128层256Gb的3D NAND。

紫光之所以能够做得比较好，就是因为从一开始就坚持走自主技术的路线，一方面整合了国内武汉新芯和西安华芯这些有一定基础的内资企业，同时大肆从海外挖人，比如高薪聘请了在中国台湾有“存储教父”之称的高启全。在整合海内外力量之后，形成了自己的研发能力和研发队伍，因而可以避开海外大厂的专利。

高启全

此外，长江存储还依靠自己的力量研发出了64层的3D NAND，得益于Xtacking技术。这项技术可以使产品开发时间缩短三个月，生产周期可缩短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比传统3D NAND拥有更高的存储密度。这使得紫光的64层的3D NAND性能可以接近国际大厂的96层3D NAND。

这与晋华在技术上高度依赖联电形成鲜明对比——在晋华被制裁之后，联电马上撤出了上百名技术骨干，直接导致晋华研发工作停摆。

把研发中心设置在境外，也是晋华的一大败笔。因为如果把研发中心放在中国大陆，那么，国外大厂要调查取证会比较麻烦，而晋华和联电合作的研发中心恰恰设在台湾地区的南科厂区，这让镁光很容易狙击联电和晋华。

既然如此，那么为何当初晋华和联电不把研发中心放在境内？

首先，台商不愿意。一直以来，台商在与大陆厂商技术合作中都是非常保守的，在技术上可谓严防死守。

其次，研发中心放台湾也更省钱。因为办公大楼、研发设备、研发人员全部迁移到中国大陆，是一笔不小的开支，特别是如今中国大陆一线大城市房价、地价节节、生活成本攀升的情况下，研发中心放在中国大陆，成本优势已经没有了，反而还要额外支付一笔搬迁费用。

而在整个过程中，晋华是纯资本，缺乏一个有经验的技术团队，因而即便资料全部给过来，晋华也消化不了，而联电才是项目研发的实际主导者，话语权掌握在联电手里，对于联电来说，无论从经济性，还是从技术保密性的角度看，放在台湾地区的南科厂区，显然对自己更有利。

（文/ 铁流）