项目副总师：超分辨光刻机将助力“中国芯”跨越发展_风闻

来源：环球网

     30日，从中国科学院光电技术研究所(光电所)获悉，由该所承担的国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目29日通过国家验收。光刻机是制造芯片的核心装备，我国在这一领域长期落后。该光刻装备将为中国未来新型国产纳米器件提供技术支持。

　　项目副总设计师胡松30日对《环球时报》记者介绍说，光刻装备利用全新的紫外超分辨光学光刻技术，为超材料/超表面、光学器件、广义芯片等变革性战略领域的跨越式发展提供了制造工具。

　　光刻机是制造芯片的核心装备，我国在这一领域长期落后。它采用类似照片冲印的技术，把母版上的精细图形通过曝光转移至硅片上，一般来说，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。但传统光刻技术由于受到光学衍射效应的影响，分辨力进一步提高受到很大限制。

　　该光刻机在365纳米光源波长下，通过超衍射成像单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。

　　胡松表示，每台光刻机的售价应该在1000万元到2000万元人民币之间，未来市场前景广阔，但是完全替代荷兰ASML公司垄断的尖端集成电路光刻机还有一段路要走。

　　“我们自主研制的光刻设备目前可以小批量生产，助力新型纳米器件产品制造。在生产效率、套刻精度、芯片面积和成品率上还有待进一步提升”，副总设计师胡松说。

　　光电所根据实际需要，已经实现了相关器件的制造，包括纳米透镜和波前调控等超材料/超表面器件，大口径轻量化薄膜镜等第三代光学器件，切伦科夫辐射、LSPR和SERS生化传感、超导纳米线单光子探测等系列新型纳米器件的制造。

　　相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院、电子科大太赫兹科学技术研究中心、四川大学华西医院、中科院微系统所信息功能材料国家重点实验室等多家科研院所和高校的重大研究任务中取得应用。

　　该项目目前已获得了授权国内发明专利47项，国外发明专利4项，拥有完全自主知识产权。