【转摘：这是真的吗？】_风闻

自力更生，逐渐缩小同国外差距

在科研和生产成果上，前三十年我国整体上紧跟世界相关领域的先进成就，不断缩小同发达国家的距离，下面是几个具有标志性的成果比较：

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。国外最早是在1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管。中外差距：10年。

1963年（一说1962年），河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。平面工艺技术是半导体元件制作中的一个关键环节，是制作集成电路的基础。国外最早是在1958年，由仙童半导体公司(Fairchild Semiconductor，也译作“飞兆公司”)首先发展出平面工艺技术。中外差距：5年。

1962年，为解决晶体管制造难题，中国人民解放军军事工程学院四系四○四教研室康鹏（25岁）临危受命，成功研发“隔离-阻塞振荡器”（后被命名为康鹏电路），解决了晶体管的稳定性问题，使中国比美国晚近8年进入晶体管时代。

在解决晶体管制造难题后，哈军工（由慈云桂主持设计）成功研制出新中国第一台全晶体管计算机441B-I于1964年诞生，比美国第一台全晶体管计算机RCA501只晚了6年。441B计算机1966年参加北京的计算机展览，恰逢邢台大地震，在地震中稳定运行。

1964年，吴几康成功研制119计算机，该计算机运算能力为每秒5万次，运算能力略强于美国于1958年制造的IBM 709计算机，IBM 709计算机的运算能力为每秒4.2万次。119计算机同1965年研制成功的109机，在我国研制氢弹的历程中立下很大功劳，被称为“功勋机”。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管―晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL（晶体管-晶体管逻辑）电路产品。DTL和TTL都是双极型数字集成电路，它们的研制成功标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。国外最早：1958年-1959年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路，1960年仙童半导体研发了第一块商用集成电路。中外差距：5-7年。

有了初级规模的集成电路，就有了制造第三代计算机（中、小规模集成电路）的基础。中国第一台第三代计算机是由位于北京的华北计算技术研究所研制成功的，采用DTL型数字电路，与非门是由北京电子管厂生产，与非驱动器是由河北半导体研究所生产，展出年代是1968年。国外最早是在1961年，德州仪器为美国空军研发出第一个基于集成电路的计算机，即所谓的“分子电子计算机”。中外差距：7年。

与双极型电路相比，MOS（金属氧化物）电路具有电路简单、功耗低、集成度高的优势。 1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属氧化物半导体）电路，拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路，之后又研制成CMOS电路（互补型MOS电路）。国外最早：1960年，美国无线电（RCA）制造出金属氧化物半导体晶体管。1962年，美国无线电（RCA）制造了一个实验性的MOS集成电路器件。1963年，仙童实验室研制成CMOS电路。中外差距：6-7年。

1972年，我国自主研制的大规模集成电路在四川永川半导体研究所诞生，实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越。国外：1971年，Intel（英特尔）推出1kb动态随机存储器（DRAM），包含2000多只晶体管，标志着大规模集成电路出现。中外差距：1年。

1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1K DRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年，但是比韩国、台湾要早四五年。此时，台湾才刚刚在向美国购买3英寸晶圆厂。

1975年，上海无线电十四厂成功开发出当时属国内最高水平的1024位移位存储器，集成度达8820个元器件，达到国外同期水平。到上世纪70年代末，我国又陆续研制出256和1024位ECL高速随机存储器，后者达到国际同期的先进水平；可以生产NMOS256位和4096位、PMOS1024位随机存储器；掌握了对于大规模集成电路制造起着重要作用的无显影光刻技术，可用于制造分子束外延设备。

总体来看，在这个时期，虽然美国计算机发展迅猛，但中国同行追得也很快，从无到有，差距逐渐缩小，甚至在某些局部领域追平西方，达到先进水平。中科院上海冶金所还独立发展了制造集成电路所需要的离子注入机，并出口到日本。

截至70年代末，中国科研人员和产业工人发扬自力更生、自强不息的精神，建成了中国自己的半导体工业，基本掌握了从单晶制备、设备制造、集成电路制造的全过程技术。在当时，只有美国、苏联掌握从单晶制备、设备制造、集成电路制造的全过程技术，虽然日本技术很强，但个别领域被美国限制和阉割。而此时，韩国、台湾才刚刚起步。

前三十年集成电路事业迅速赶超发展的经验

总结新中国前三十年集成电路事业的赶超发展，有几点经验值得今天学习（专业研究产业问题的学者铁流对此有很好的总结，笔者也颇为认同，以下部分参考了其文中的一些观点或论述）：

A.是坚持自主研发的赶超路线。

贯穿前三十年技术进步的是自力更生，艰苦奋斗的精神。50年代，即使我国已经引进了苏联的技术资料，依旧保留自己的技术研发团队，例如夏培肃于1954年即着手基本逻辑电路的设计、试验和运算器、控制器的逻辑设计，这为我国同苏联交恶后自主研制计算机打下了坚实的基础。此后，中国的科研工作人员在没有外援的情况下，自力更生，完成了一个又一个技术攻关。从有国外留学经验的老科学家，到共和国自己培养的年轻科研人员，都发挥了极大创造力，例如前述25岁就研发出“隔离-阻塞振荡器”，解决重大技术难题的康鹏。

这一时期，中国也抓住有利时机从国外引进先进技术设备。进行充分消化吸收。但无论是50年代末引进苏联技术资料，还是70年代通过特殊渠道少量购买欧美先进设备，走的是都“消化吸收、融会贯通、推陈出新、举一反三”的路线，技术引进不仅没对自主技术造成冲击，反而使其融入自己的工业体系中，使中国自主技术更上一层楼。

70年代，通过购买国外单台设备，我国自己组建了三条生产线，以缓解国内制造计算机的迫切需要。1972年美国总统尼克松访华后，中国开始从欧美引进技术。对于当时属于高科技领域的半导体产业，中国虽然始终无法从官方途径大规模引进半导体设备和技术资料，但也通过特殊渠道少量购买单机设备，并将其消化吸收后，大量仿制，推陈出新，搭建了自己的生产线。

在此期间，西方有意遏制中国尖端技术的发展势头，1973年我国7个单位分别从国外引进单台设备，以期建成七条3英寸工艺线，但由于欧美技术封锁等各种因素，最终拖了7年才引进，引进时已经落后于国际先进水平。这也说明不论什么时候，什么条件下，坚持自主创新为主始终是第一位的。

B.是重视科研投入和科研人才培养。

新中国前三十年的社会主义建设时期，我国依靠“高积累、低消费”的方式集中大量资源用于国家工农业基础设施的建设和国防技术研发，一代人吃两代人的苦，将一个落后的农业国建设成为拥有核武器的世界第六大工业国，计算机、集成电路这样的高科技产业也从无到有，发展壮大。

在此期间，虽然国家财政并不富余，但中国用于科技研发的经费占国民生产总值的平均比例为1.28%，达到当时几个初等发达国家的平均水平（如意大利、西班牙）；到70年代末，随着经济实力的提升该比值提升到2.32%，做到了竭尽所能为科研工作保障资金。这一投入远远超越改革开放后的水平（80年代中期以后一度降到0.6%以下），达到同期几个最发达国家英、法、西德的水平，仅比当时的美国、日本低一些（美国长期为2.8-3.0%，日本70年代以前1.6%，进入70年代后与美国接近）。

在人才方面，我国一方面积极吸引在海外留学、工作的技术人才回国效力；另一方面积极培育自己的人才，在开设短期速成班的同时，在院校开设计算机专业，培育专业技术人才，并送优秀尖子赴苏联深造。高水平的科研经费比例，保证了即便在困难时期和政治动荡的年份，也能尽可能的为科研人员提供基本的生活、工作条件。

C.是全国统筹协作的研发模式。

从前述列举的重大成就来看，当时的科研单位虽然分散在全国各地，但在重大问题的攻坚上却是协同作战和成功共享的。在全国统筹协作的举国体制下，各个单位互帮互助，以集中全国科研力量攻坚克难的方式解决了科研道路一个个难题。国家还经常举办各种展览会，方便各单位进行技术交流。

正是在自力更生、艰苦奋斗的精神和公有制体制的保障下，我国计算机和集成电路事业在前三十年取得了一个又一个成就。