转载：瑟瑟秋风今又是——马宾方案的搁置与中国芯片被韩国彻底反超_风闻

萧瑟秋风今又是，换了人间。老革命马宾担心的最坏的局面出现了，局面不仅仅是不堪设想，而是彻底的不堪设想。28年来，美国通过芯片，剥削了中国多少血汗钱？今天中国再赶超美国的芯片产业，技术积累层面的困难程度已经高于1990年。【本文为作者向察网的独家投稿，文章内容纯属作者个人观点，不代表本网观点，转载请注明来自察网(www.cwzg.cn)，微信公众号转载请与我们联系。】

一、吴敬琏、林毅夫们崛起，马宾等老革命家被冷落——中国芯片行业无比悲哀的转折点

随着中美贸易战的开打，中兴被制裁，芯片成为这场战争的焦点问题。在国内，各种认识和主张一时间纷纷涌出。在呼吁自主研发、奋起直追的爱国的声音之外，却有另外一种刺耳的声音，那就是完全反对中国政府大力扶持搞芯片的自主研发，其中最具代表性的就是吴敬琏2018年4月份在清华的讲话。

吴敬琏说：

http://tech.sina.com.cn/csj/2018-04-26/doc-ifztkpin3214995.shtml

【从网上的反映看似乎有一种危险，这种危险就是由于这个争论使得国家主义更加取得了优势，就是用更强大的行政力量去支持我们的有关产业，比如说有一种口号叫做“不惜一切代价发展芯片产业”。】

早在80年代初开始，以吴敬琏为代表的新自由主义、市场原教旨主义、资产阶级自由化势力，就对中国改革开放形成了严重的干扰、破坏，其中最重要的是就是对新中国前三十年形成的高新技术产业的破坏。中国本来比较强大的芯片产业，自85年开始就不断萎缩，甚至被本来远远落后于中国的韩国和中国台湾地区赶超，其中一个关键原因，就是这些资产阶级自由化学者勾结腐败卖国的资产阶级自由化官员进行破坏的结果，今天中国要下决心再次发展芯片产业了，他们又跳出来搞破坏。

吴敬琏觉得国家或政府不仅不该“用更强大的行政力量”去支持芯片产业，甚至他还认为如果国家或政府这么做，对民众来讲会是一种危险，因为他认为只要国家用行政力量去支持有关产业，就会使国家主义更加取得优势，为了反对国家主义得势、为了鼓动自由主义，就要废掉中国芯片产业，这是什么奇葩逻辑？

事实上，任何一个新兴的高新技术产业想要得到长足发展，国家和政府的支持（包括政策、税收、贷款以及人才等等）都是必不可少的，这几乎在西方发达国家是常识性的，美国、日本、韩国的芯片产业，都是在政府乃至军队的大力扶持下才发展出来的。

如果当年运十项目没有被新自由主义和资产阶级自由化势力摧毁，中国今天早已拥有了包括航空发动机在内的完全独立自主的大飞机产业。同样，依靠新中国前四十年在集成电路和信息产业方面的积累，本来今天中国也应该拥有自己的独立自主、领先世界的芯片产业。然而，在改革发展过程中，新自由主义势力的干扰与破坏，使除了高铁、航天等少数产业外，包括大飞机、汽车、化工、制药、芯片、操作系统在内的各大骨干行业都遭受新自由主义的残酷破坏，使今天中国在很多关键领域的核心技术不仅仅相对落后于80年代初的中国（即保持当时的发展势头到今天的状态），甚至绝对落后于当时的中国。

以运十为例，参与运10研制的原上海飞机制造厂车间主任、上海核工程研究设计院党委副书记任治侯同志介绍，为运10飞机研制的三钉(虎克铆钉、环槽铆钉，抽芯铆钉)，高强度镙栓，超高压无扩口液压接头，当时已达美国标准，可惜的是铆钉生产线现已没有，厂房变成了房地产，使我国支线飞机及C919飞机的铆钉依靠进口，超高压无扩口液压接头现已用在了我国新型战机，海军、深潜等领域，先进程度已达到或超过美国。而据运十总体设计参与者、ARJ21飞机副总设计师周济证实，当年运10用的机体材料，几十年之后的现在反倒搞不出来了。运10开始试飞用的发动机仍是B-707(PW)的JT3D，运十研制期间上海也同步研制了915发动机(涡扇8)，与运十当时使用的涡扇发动机JT3D―7的性能相当。现如今，制造915发动机的工厂现在早已转产，为上汽集团的合资企业上汽大众和上汽通用生产汽车配件。

也就是说，如果没有新自由主义势力对改革开放的干扰和破坏，中国保持新中国建国以来一直有的“两弹一星”精神和模式发展高新技术产业，中国工业应该比现在的状态要“厉害”得多得多——这是美国的培植的公知及公知伪装成的五毛们都极力否认的基本事实，他们都否认新自由主义势力对中国的经济、金融和工业产生了严重的破坏。公知们说，中国当前的问题是新自由主义私有化和市场化程度还不彻底。公知伪装的五毛们说，新自由主义市场化、私有化，包括国企私有化等等政策，已经让中国实现了大国崛起，中国已经是帝国主义——等特朗普以中国经济侵略美国和世界的借口和中国打贸易战、金融战时，极少数中国官员才明白这些公知伪装的五毛从2011年开始鼓吹中国已经是帝国主义国家的原因。这些公知伪装的五毛鼓吹，为了使国家强大挑战美国，要继续过去的新自由主义市场化、私有化模式。

早在90年代初开始，许多爱国学者及以马宾（建国后历任鞍山钢铁公司总经理、冶金工业部副部长、国家进出口委员会副主任、国务院经济研究中心副总干事）为代表的党内老革命家都主张发扬两弹一星精神，大力发展以IT产业为核心的高新技术产业，争取迎头赶上发达国家，缩小中国与发达国家的经济技术差距。

而以林毅夫为代表的新自由主义经济学家从一开始就极力反对这种做法。林毅夫于2000年6月公开发表的《信息产业发展与比较优势原则》一文中建议：

【IT技术的研究开发目前主要集中在美、欧、日本等高度发达国家，主要元件像计算机中央处理芯片的生产，除了高度发达的国家之外，一些中等发达国家和经济如韩国、马来西亚和我国的台湾省也占有相当的份额，至于发展中国家在IT技术的生产上一般只是最终产品如计算机、键盘、显示器的组装，和外壳或一些简单电子元器件的生产。……当核心技术开发出来后的大规模生产上，所需的资本投入仍然很大，但和研究开发相比就小得多了，以计算机的芯片为例，每条生产线的投资大约要10多亿美元。最终产品的组装和简单电子元器件的生产则相对来说属于劳动密集型的。……我国还是一个资金相对稀缺的发展中国家……我国不应该也不可能倾全国之力，不惜一切代价强行和IT产业的几家大公司竞争，研究开发他们正在研究开发的技术、产品。……我国现阶段的比较优势是劳动力多、劳动力价格相对便宜，因此，现阶段在IT的硬体产业中的定位应该是大力开发以组装为主的产品】

林毅夫认为，

【违背一国的比较优势去进行产业和技术上的赶超，结果总是欲速则不达。……我国发展层次还很低，所以很容易使人产生急躁情绪，但是，经济发展有其自身规律，拔苗助长是要不得的。绝对不能一时头脑发热而不顾经济全局，孤注一掷地举全国之力于少数几个我国目前并不具备比较优势的领域，这方面我们吃的苦头够多的了。】

林毅夫还拿韩国三星的芯片来吓唬中国：

【韩国企业的发展模式通常和三星电子相似，追求等级较高，资金密集程度超过其资源秉赋的技术和产品，必须依靠外债来补充其国内资金之不足，结果利润率较低。在1997年时，韩国30家主要企业集团的平均负债率为350%，有些竟然达到1200%，而资金利润率却非常低，达不到0.5%，当国外的金融风波一起，外国银行和投资者看到韩国企业利润率低，对还本付息失去了信心，不再给予新的信贷，并开始回收资金时，这些大型企业集团立即陷于岌岌可危的状况，韩国经济也立即应声而倒，出现危机。……在1997年开始的这场亚洲金融危机中，韩国是亚洲四小龙中受创最重的经济，其原因是自70年代末以来，韩国经济渐渐偏向赶超战略，热衷扶植大企业去发展资本密集程度超过其要素秉赋结构的产业，结果，生产的产品的成本较发达国家的同类产品成本高，在市场竞争中盈利能力低，甚至亏损严重，导致高额负债，当国内资金不足时，积累了大量的外债，在其它国家发生金融风潮时，也就难逃骨牌效应的影响，而使国民经济的发展受到极大的伤害。】

今天来看，如果韩国当年不是因为在芯片技术上争得了一席之地，在今天手机业务萎缩的情况下，怎么可能在今天继续保持发达国家地位？自始至终，韩国、日本、德国及美国政府没有采纳林毅夫之类的新自由主义经济学家的比较优势建议，而是采用政府扶持赶超+高关税的李斯特模式发展自己的核心产业，这是他们能够从落后的发展中国家变成发达国家的根本原因。

从历史进程来看，当年的中国接受了吴敬琏、林毅夫们的建议，而否定了马宾、高梁等人的建议。除了铁路和航天两个领域外，当时中国绝大部分掌握核心技术的体制内骨干，都在新自由主义势力打击、摧残下流失。在80、90年代，中国许多本来生机勃勃的高新技术产业和项目被人为地废止、下马。在当时国企联想发展路线问题上，柳传志也赶走了倪光南。这是中国IT行业无比悲哀的一个转折点，这就是中国今天只有一个华为的原因。

古人云，以史为镜，可以知兴替，我们不妨从世界各国半导体及集成电路产业的发展历史中，找到一味治疗中国“芯”痛的药。

二、半导体产业在美、日等国的发展离不开政府（尤其是军方）的支持

美国是当今世界微电子技术的领跑者，以其经济、科技实力和高强度创新机制，稳居全球领导地位，处于半导体产业链条的顶端。但这样的主导地位，绝不是放手让私营企业自负盈亏，天然发展而得来的。

学者高梁在《挺起中国的脊梁——全球化的冲击和中国的战略产业》一书中正确地指出：

【半导体制造技术在美国起步时，首先是用于军事目的。20世纪60年代中期，美国投入大量人力物力，搞了民兵导弹、阿波罗导航计算机以及W2F飞机数据处理器三大工程，将集成电路的可靠性提高了100倍，也促进了器件基础（设计、工艺、测试评价、组织管理）的完善，半导体产业由此跨入大规模生产的门槛。1987-96年，美国半导体工业年增长率15.7%，3倍于国民经济的增长速度；该国GDP增长部分的65%以上与微电子技术有关。】

集成电路技术在美国出来后，市场并不看好，是军方促进了其使用、发展。美国政府为了保障军用导弹可靠性及其元器件的质量，投入了巨大的资金和人才力量。这一举措使得集成电路的可靠性提高1000倍，不仅促进了集成电路技术的大发展，实现了集成电路工业化大生产。

据马宾（原鞍钢总经理、总工程师，改革开放后历任冶金工业部副部长、国家进出口委员会副主任、国务院经济研究中心副总干事等）在1993年夏写的《电子信息产业的作用与发展》一书中介绍，美国的集成电路产业和SEMI标准的出现，是美国“民兵Ⅱ”导弹的产物：

【1964年-1966年美国“民兵Ⅱ”导弹的可靠性保证计划和元件质量保证计划，投入大量入力物力和财力，经过这二年时间，使集成电路的可靠性提高1000倍。“民兵Ⅱ”可靠性计划的实现，对于集成电路的发展是一个很大的促进。它不仅促进了集成电路的可靠性水平的大幅度提高，更重要的是促进了支撑产业技术基础、设计基础、工艺基础、测试评价基础和组织管理基础的进一步完善，从而促进了集成电路技术的大发展，实现了集成电路工业化大生产。】（《电子信息产业的作用与发展》，马宾著，电子工业出版社1995年7月第一版，58页）

上述这些军方的投入，不仅直接促进了集成电路技术在短时间内的跨越式发展，更为之后半导体设备和材料学会(SEMI)的成立打下了坚实基础：

【美国各大公司在此基础上，于1970年成立了一个“半导体设备和材料学会( Semiconductr Equipent and Materials Institute)"。尔后发展成为一个跨国国际性组织，到目前为止，已有成员1200个。包括了世界各国主要的半导体器件生产产厂家(公司)及其支撑产业的厂家(或公司)。】（《电子信息产业的作用与发展》，马宾著，电子工业出版社1995年7月第一版，58页）

而作为全球最权威的集成电路国际标准组织，SEMI标准在整个集成电路发展史上都具有举足轻重的作用：

【这个学会沟通了半导体生产行业与支产业之间相互的技木信息交流，减少了行业之间的隔阂，使得支择产业的技术水平与半导体器件(持別是集成电路)生产同步发展。这个学会的1200个成员，每年竟派出300名专家参加制定一份既为支撑产业接受也为半导体生产厂家认可的SEMI标准。这份标准具有较高的科学性、先进性和权威性。半导体工业是一个发展很快的高技术产业，新技术新产品层出不穷。有关半导体科学技术方面的知识，每年都在成倍地增长。而SEMI标准紧密配合科学技术的发展，适应了半导体工业飞速发展的需要，确保了新的知识和技术能以标准的形式在科研生产中得到广泛的应用、从而加速了半导体工业生产的发展。】（《电子信息产业的作用与发展》，马宾著，电子工业出版社1995年7月第一版，58-59页）

为了能够实现领跑全球集成电路产业，那美国又是怎样的呢？

首先，他们对政、产、学、研之间有计划的协同创新很重视。芯片产业的起步和发展需要来自各个方面的巨大投入和长期支持，绝非一朝一夕能够完成。因此，美国政府将有计划的协同创新，视为国家信息化战略的重要基础，并通过一系列政策（税收、财政、科技等）的总揽和引导，加强了全社会对信息化关键技术深入持久的支持，逐步形成了政府、产业界、学术界和各种社会力量深度协同合作的体系。

其次，美国还非常重视制定政策，加大对科技人才的引进和保护。除了高薪之外，在硅谷乃至全美国范围内，专精尖的高技能人才，能够在企业和院校间自由流动，极大的促进了技术的创新进步。此外，美国政府、企业、科研机构等利用资金和环境优势，采取人才掐尖战略，广泛吸纳国外IT的高精尖人才。美国的高新技术公司，在各国广泛撒网，触角甚至伸到其他国家的教育领域，甚至一度与某些专业研究协会深入合作。对一切有科研潜质的人才，在早期就进行干预，一旦可以收获，第一时间掐尖。比如：文明遐迩的德州仪器（TI）公司，就与中国的全国电子设计大赛长期合作，资助全中国的电子相关专业的大学生参加比赛，以选拔有创新设计能力的人才，定向资助和培养，以期为TI公司的发展甚至美国芯片产业的发展服务。

由于其重要战略地位，半导体产业从来就是发达国家竞相争夺的战略制高点。延续10年之久的美、日半导体贸易战，就是最典型、最著名的案例。日本的集成电路产业，是在日本政府的大力支持下以及产业政策的协调下才发展起来的。在80年代末，曾经一度打败美国。当美国人认为，日本半导体芯片的崛起已威胁到了它的产业利益和国家安全，就运用国家投入扶植产业的方法夺回了失地。

高梁在《挺起中国的脊梁——全球化的冲击和中国的战略产业》一书中指出：

【1970年代，日本政府认定半导体产业的重要战略价值，制定了产业发展政策，组织官产学研协同搞技术攻关，及时抢占了新一代关键设备这个制高点，瞄准工业控制和消费类电子这两个市场空档，在国际市场奠定了可与美国比肩的半导体强国地位。到1980年代末，日本的半导体国际市场份额一度超过了美国，以致1990年的海湾战争，美国导弹中的很多核心芯片，都不得不依赖日本货，这使美国人感到，日本半导体芯片已威胁到美国的产业利益和国家安全。在这种情况下，一贯标榜奉行“自由贸易”、“自由竞争”原则的美国，毫不犹豫地拿起贸易壁垒和产业政策这两个武器，抵制日货，制定产业发展战略，用市场保护、税收信贷优惠、政府资助组织企业研发等典型的“通产省”式手段，大力扶持本国半导体产业。经过大约10年的贸易战，终以美国夺回主动权告终。】

日本半导体专用设备的发展速度如此之快，是与其政府的重视和大力扶持分不开的。日本不仅针对电子工业的振兴专门立法，把对集成电路产业的扶持计划落实到了法律层面；更是由政府直接出资（占产业总研发投入的近一半，达300亿日元），推进集成电路技术研究的快速发展：

【日本政府在其电子工业振兴法中对半导体集成电路的发展给予了许多优惠措施，其中包括减免税收和提供优惠贷款并制定了相应的振兴计划，对重点的研究项目在保证资金的情况下集中力量攻关保证在一定的期限内完成。在日本通产省的主持下，日本最大的五家计算机企业(也是半导体企业)东芝、日立、三菱电机、H本电气、富士通出资400亿日元、并从政府得到补助金300亿日元，设立超大规模集放电路研究的特別机构(组合)，并在政府主持下组织了各种种IC专用设备的联合开发体。】（《电子信息产业的作用与发展》，马宾著，电子工业出版社1995年7月第一版，40页）

马宾1990年就指出，日本为何能以如此惊人的速度发展成为世界半导体生产大国、强国呢？其原因是：

【1、日本从1957年～80年代初先后须布并实施了“电振法”、“机电法”、“机信法”，大大促进了日本电子信息业及传统产业的改造；2、据日本通产省对国内12家主要半导体公司调查，1975年-1985年间设备投资年均增长率为4.6%，居各产业之首。研究开发费用同期年均增长率为28%，开发研究费用占销售额的比例1980年为12.6%，1985年达到14.1%。近几年日本又开始增加对基础研究之投资，其款额已占到国民经济总值的1%；3、大力开展市场调査及分析、根据市场变化及时调整产品结构，大力开发试销对路的新产品；4、实行官、产、学、用、军几位一体的科研、生产、应用体。比如1976年-1979年日本制定并组织实施了LSI开发研究试制联合攻关计划，在短时间里取得了同大成效。当时不仅在日本国内，就连国外也引起了强烈反响，因为这是一次重大的技术突破。】

以光刻机为例，日本政府联合企业、有关研究所以及大学，成立了特别研究机构——日本超大规模集成电路组合技术研究所(简称“共同所”联合体)，不惜投入巨资，经过十几年的努力，终于将美国光刻设备的霸主GCA公司等击败，在上世纪90年代一度成为该领域的领跑者。

【日本1974年在政府大力支持下，日本通产省联合了日立、东芝和Nikon等几家大企业集团，其中组织了有关研究所和大学，走“产学研”联合自主研制开发专用设备的道路，成立了有名的日本超大规模集成电路组合技术研究所(简称“共同所”联合体)集中技术优势，主攻日本第一代五种关键专用设备，即分步重复投影光刻机(SR-1,SR-2型)、电子曝光机(EB-1型)、离子刻蚀机、掩模缺陷自动检测设备、1:1反射投影式光刻机等。经过4-5年努力先后研制成功样机，为日本后来自主发展集成电路专用设备奠定了基础。80年代以来，日本加快了投影光刻机等关键光学专用设备研制与开发步伐，以世界著名的光学仪器公司Nikon和Cannon公司为核心，每隔两三年推出新一代的光学专用设备。由于特别注重产品质量并以微电子工艺单位(企业)相依托，实用化的周期大为缩短并在价格竞争上占有优势，很快拓展了市场，在激烈的竞争中将美国光刻设备的霸主GCA公司等击败，雄居该领域的领先地位。】（《电子信息产业的作用与发展》，马宾著， 电子工业出版社1995年7月第一版，62页）

日本集成电路产业的发展历史，给了我们很大的启示。即只要国家给予足够的重视和扶植，制定正确的产业发展政策和保护政策，整合本国产业资源和人才，投入充足的发展资金，那么在集成电路的世界市场竞争中，相对落后的国家也能够对美国这样的行业领跑者实现追赶和超越。

上世纪八九十年代，日本的集成电路产业非常强大。然而由于1985年广场协议的签订，以及日本对美国自由市场经济的采纳，给日本高新技术产业的发展带来了极大地不利影响。进入新世纪后，日本Nikon的高端光刻机逐渐被荷兰的阿斯麦公司（ASML）击败。

阿斯麦(ASML)是专注于光刻机研发和制造的设备商，总部位于荷兰费尔多芬市。1984 年，阿斯麦由飞利浦与荷兰国际先进半导体材料公司合资成立。当时硅谷集团、Nikon和 Cannon等十几家光刻机公司，实力均在阿斯麦之上。阿斯麦在成立当年，做出第一台油压驱动光刻机PAS2000，但PAS2000的技术已严重过时。之后依托飞利浦原有的技术积累以及其他合作伙伴的支持，阿斯麦于1986年制造出PAS2500/10机器。1990年，阿斯麦光刻机销量进入世界前三甲。然而，在阿斯麦公司发展进入快车道的同时，也面临重重危机。1990 年，合资一方国际先进半导体材料公司退出阿斯麦。1991年，阿斯麦亏损970万荷兰盾。1992 年，世界半导体产业滑坡，阿斯麦资金链断裂，几近关门。1995年，阿斯麦分别在阿姆斯特丹泛欧股票交易所和美国纳斯达克股票交易所上市。1998年，阿斯麦出品 PSA5500/900型光刻机，成为世界第二大光刻机制造商。2002年，阿斯麦光刻机占世界市场份额50%，成为全球第一。从20世纪90年代中期开始，阿斯麦进一步确定了模块化战略采购政策，编制清晰规范的外包合作协议，牢牢赶超、突破、把控光刻机最核心的技术，核心部件自制，其余部件采取模块化公开采购。

阿斯麦(ASML)也是在政府及相关机构的大力扶植下才能够发展起来的。阿斯麦公司在其成立的最初几年，依赖飞利浦，靠贷款和政府补贴生存。从20世纪80年代起，阿斯麦就主持和参与了尤尼卡、欧洲信息技术战略研究计划下的数个合作研发项目，从而早期掌握了自主研发PAS5500系列机器的重要技术。2004年，为了开发出极紫外光源所需电能装置，阿斯麦从欧盟第六框架研发计划中获得2325万欧元的资助，与15个欧洲公司、10个研究所和3所大学一起，开展了为期3年、题为“More Moore”的项目。2010-2012年，阿斯麦的合作研发项目从欧盟、荷兰、美国政府机构获得的资助金额分别为2950万欧元、2510万欧元和1790 万欧元。长期以来，围绕光源和刻蚀技术，阿斯麦得到政府长期、稳定的支持。（见《光刻机行业巨人的成长带来的启示和思考》，《中国基础科学》2015年06期）

由此可见，非但国家和政府对芯片产业的扶持不是危险的，反而是对该产业甚至是国民经济的发展大大有利。由历史可见，不仅产业落后的国家，可以通过国家集中人力、物力、财力不断发展超越他国，而且产业先进的国家，非得用政府持续扶持的方法，才能保证该产业长期领先于他国。

三、集成电路产业地发展需要长期的大量的有针对性的投资以及科学的产业布局

如今作为世界半导体和集成电路产业第二把交椅，韩国在美国形成产业16年、日本11年以后，于1977年才开始建立自己的半导体产业。作为一个后来者，要对付两个已占领国际市场的对手，能在已经被瓜分的世界市场上站稳脚跟，根本不是放任本国私营半导体企业自然发展就能办到的。

马宾早在1990年8月的《像老一辈无产阶级革命家抓“两弹一星”那样，下决心把电子信息工业抓上去！》一文中就曾研究过韩国集成电路产业崛起的秘诀：

【三星(SUMSANG)公司于1980年开始投资3亿美元，从美国引进全套设备、技术，用种种办法吸引日本科技人员，于1983年成功地生产出64K DRAM并投放世界市场。当时,存储器的市场为美、日两国垄断，而且进入成熟的工业生产，价格已降到平衡价格。南朝鲜三星64K DRAM的生产成本一开始为国际市场价格的4-5倍；而集成电路是高科技商品，商业一技术信誉比价格还重要。

作为新加入的竞争者面临：要么因质次价高打不开市场而停产，承担高额投资失败的损失；要么降价销售，咬着牙承担巨额销售亏损，在巨大压力下完善科研-生产-经营的一切环节，争取生存下去，争取发展，争取下一轮比赛的资格，争取综合国力上一个台阶，获得全面、长远的战略利益。南朝鲜企业在国家的干预下选择了后者。

紧接着，三星集团在1984-1985年间连续投资6.5亿美元引进3微米集成电路设备，于1987年批量生产256K DRAN进入国际市场，接着在1986--1988年度以1微米为目标投资6亿美元，于1988年底1M DRAM进入批量生产，并于1989年3月试制成4M DRAM(线宽0.8微米)。三星集团从1983年64K DRAW进入国际市场，直到1988年利用日、美半导体摩擦而造成256K DRAM缺货，价格上涨的机遇，于1988年10月份第一次使集成电路的生产摆脱了亏损。】

（见《发展、改革的两个关键——高技术产业化与反腐败》19页 马宾著 中国国际广播出版社 1991年10月第一版）

美国经济学家曼昆，在他的西方经济学教科书中也曾指出，日本在生产汽车上有比较优势，美国在生产食物上有比较优势。因此，日本应该生产多于自己使用需要的汽车，并把一些汽车出口到美国；美国应该生产多于自己消费需要的食物，并把一些食物出口到日本。但是，如果比较优势理论真的成立的话，为什么美国没有变成一个农业国呢？其实马克思早已经就此指出：就使用价值来看，交换双方都能得到利益，但在交换价值上，双方都不能得到利益。实际上，比较优势理论把使用价值当作是商品生产的进而也是市场经济的目的。正如马克思指出的那样：

【有人对我们说，自由贸易会引起国际分工，这种分工将规定与每个国家优越的自然条件相适宜的生产。先生们，你们也许认为生产咖啡和砂糖是西印度的自然秉赋吧。二百年以前，跟贸易毫无关系的自然界在那里连一棵咖啡树、一株甘蔗也没有生长出来。也许不出五十年，那里连一点咖啡、一点砂糖也找不到了，因为东印度正以其更廉价的生产得心应手地跟西印度虚假的自然秉赋竞争。而这个自然秉赋异常富庶的西印度，对英国人说来，正如有史以来就有手工织布天赋的达卡地区的织工一样，已是同样沉重的负担。《马克思：关于自由贸易的演说》】

因为西方经济学比较优势理论本质上是为先发国家资本服务，根本无法科学地解释国际易利益在国家间（尤其是发达国家和发展中国家之间）的分配差距。遵从比较优势论参与国际分工与贸易的发展中国家，必然受到掠夺与剥削。过去几十年来，实践的结果也表明，比较优势论只会导致中国的产业越来越陷入产业分工的低端部分。国际贸易利益分配的差别在于，国际交换的结果是价值财富从发展中国家落后国家向发达国家转移。

因此，发展中国家（也包括其他一切后进国家）要摆脱和避免在国际上受剥削的地位，实现自己的经济发目标，根本出路在于坚持独立自主研发，自力更生的发展原则，加快实现对外经济发展方式的转变，积极参与到世界分工上游的竞争中去。正因为明白了这一道理，技术落后的韩国并没有放弃芯片的自主研发，而是下了大力气及早的进入了这一产业，不惜一切代价，对美日这两个强国进行追赶：

【三星集团依靠集团内传统产业和电子整机类产品的利润支持，到1988年底，一共投资17亿美元，承担高达5亿美元的早期巨额亏损，建成了有竞争力的集成电路产业，1989年集成电路销售额达15亿美元；月产1M DRAM 680万块。1990年1-6月份月产4M DRAN10万块，预计年销售额达20亿美元。使整个三星集团成功地实现了产业结构现代化，综合竞争能力上了个台阶。韩国的金星(Gold Star)、大宇(Daewoo)、现代( Hyundai)三大集团也都和三星相类似地实现了这样的发展过程。南朝鲜全国四大企业集团到1988年底，以累计投资47亿美元，亏损16亿美元为代价，使得1988年南朝鲜集成电路销售额44亿美美元，出口39.4亿美元，1990年销售额将达54.1亿美元，出口达46.8亿美元(据南朝鲜产业研究院(KIET)公布的数字)，综合生产一技术水平仅和日本差一年，收到了相当好的长远效果。】（见《发展、改革的两个关键——高技术产业化与反腐败》20页 马宾著 中国国际广播出版社 1991年10月第一版）

图为1984-1987年韩国半导体工业投资情况，截自《电子信息产业的作用与发展》马宾著44页

只有企业自己的投资是远远不够，哪怕这个企业在其他领域盈利足够支撑集成电路产业发展的需求，作为私营企业，盈利是唯一的追求，韩国政府认清这一点，既立足于产业长远竞争，积极引导企业自己投资研发，又利用政府财政支持，直接投资：

【为了追赶先进国家，从1975年起到1984年前，南韩平均每年对半导体工业投资1亿多美元。而1985年投资超过11亿美元。此后，每年约有4-5亿左右美元投资。这样，到1984年，南韩半导体生产已成为13亿美元的大产业，与汽车工业一起被政府当局定为新型输出战略产业。1986年，南韩成了居世界第二位大规模生产256K DRAM的国家。为了改变南韩电子工业过分依赖元器件进口，特别是关键性元器件以来进口的状况，政府当局于1986年提出了“加强元器件自产能力”，并计划于“六五”(1987-1991)期间由政府投资40亿美元从国外引进元器件生产技术。】（见《电子信息产业的作用与发展》44页 马宾著 电子工业出版社1995年7月第一版）

由此可见，芯片产业发展是耗资巨大的，必然的是，近期的乃至中长期的经济效益并不会高，甚至是亏损的。特别是一个落后的国家要进入这个领域，对发达国家进行赶超，在早期阶段甚至是要承受巨额亏损的。高投入，长期投入，针对产业化发展的投入是不可避免的。

随着产业的发展和壮大，有的时候不仅不会有收益，反而投资和亏损的额度会越来越大。再以日本为例：

【1978年一1989年设备投资年平均增长率在70%以上，1988年度八大公司，投资达41亿美元；全世界设备销售额1989年高达91.7亿美元(以上数字仅为设备投资，尚不包括超净厂房、动力系统的投资和必要的软技术费用)。】（见《发展、改革的两个关键——高技术产业化与反腐败》18页 马宾著 中国国际广播出版社 1991年10月第一版）

如果忽略或者干脆没有认清这一规律，会因迟疑错失投资和发展的时机，甚至一旦停止新的投资，之前的投入都会白费，这是得不偿失的。比如：

【联合欧洲亚微米硅计划(JESSI)执行两年来，技术上取得了重大进展,西门子公司( SIEMENS)4M DRAM，荷兰菲利浦公可(PHILIPS)1M SRAM(静态随机存储器，0.8微米技术)都已投入生产。但是，由于无力应付随之而来的巨额亏损，于今年八九月相继宣布停产，造成重大经济损失(仅菲利浦用于1M SRAM的科研经费就高达2亿美元)并被迫退出JESSI计划。执行JESSI的三大公司只剩下法国汤姆逊公司，耗资45亿美元的JESSI面临天折的危险。】（见《发展、改革的两个关键——高技术产业化与反腐败》20页 马宾著 中国国际广播出版社 1991年10月第一版）

如果当年JESSI能够持续得到政府（或者欧盟）出资支持，顶住巨额亏损，继续投入研发，那么现在欧洲就能在被美日韩垄断的芯片和存储市场有更大的一席之地。当然，欧洲没有像中国1980年代那样，全盘皆输。飞利浦公司收缩研发线，在有限的资金下，保证了光刻机能够继续研发，最终成就了阿斯麦公司的光刻机技术的飞跃。阿斯麦公司正是依托飞利浦保存下来的这条产品线，并依靠上万亿欧元的贷款和政府补贴，投入十几年时间，与众多科技公司、研究所以及大学合作，才最终在21世纪初渐渐超越了日本的光刻机技术。

四、集成电路，新中国曾经有这样的辉煌——前三十年我国集成电路事业的自主赶超路线和成就

新中国建国后的第一个三十年，我国计算机和集成电路事业在自主赶超路线的主导和公有制科研、生产体系的统筹下，从无到有，初步建立起了独立完整的产业体系，不断缩小与日本、美国的差距，比韩国起步早，发展快，对今天的芯片产业自主研发仍有重要的启示。

1、科研和生产布局：集中攻关，遍地开花

科研和生产配置方面，早在建国初期，1950年抗美援朝战争爆发后，为解决军队电子通信问题，国家成立电信工业管理局，在北京酒仙桥筹建北京电子管厂（京东方前身），由民主德国（东德）提供技术援助。酒仙桥还建起了规模庞大的北京电机总厂、华北无线电器材联合厂（下辖706、707、718、751、797、798厂）、北京有线电厂（738厂）、华北光电技术研究所等单位。在1952年，中国便成立了电子计算机科研小组，由当时的数学研究所所长华罗庚负责。

1956年，中国提出“向科学进军”，国家制订了发展各门尖端科学的“十二年科学技术发展远景规划”，把计算机列为发展科学技术的重点之一，并筹建了中国第一个计算技术研究所。根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。从半导体材料开始，自力更生研究半导体器件。为了落实发展半导体规划，中国科学院应用物理所首先举行了半导体器件短期训练班。请回国的半导体专家内昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制技术和半导体线路。参加短训班的约100多人。

当时国家决定由五所大学-北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学半导体物理专来，共同培养第一批半导体人才。五校中最出名的教授有北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德和吉林大学的高鼎三。1957年就有一批毕业生，其中有现在成为中国科学院院士的王阳元（北京大学）、工程院院士的许居衍（华晶集团公司）和电子工业部总工程师俞忠钰等人。之后，清华大学等一批工科大学也先后设置了半导体专业，培养了大批专业人才。

1958年，上海组建华东计算技术研究所，及上海元件五厂、上海电子管厂、上海无线电十四厂等企业。使上海和北京，成为中国电子工业的南北两大基地。1960年，中国科学院在北京成立半导体研究所，集中了王守武博士、黄昆博士、林兰英博士等著名海外归国专家。同年组建河北半导体研究所（后为中电集团第13所），进行工业技术攻关。

到六十年代初，中国半导体器件开始在工厂生产。此时，国内搞半导体器件的已有十几个厂点。当时北方以北京电子管厂为代表，生产了II-6低频合金管和II401高频合金扩散管；南方以上海元件五厂为代表。

1961年我国第一个集成电路研制课题组成立。1962年由中科院半导体所，组建全国半导体测试中心。1963年中央政府组建第四机械工业部，主管全国电子工业（1982年改组为电子工业部），由通信专家王诤中将任部长。1968年，我国组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

中国早期电子工业，主要以军事项目为牵引，研制军用航空电子设备、弹道导弹控制设备、核武器配套电子设备、军用雷达、军用通讯器材、军用电子计算机等产品。1958年开始研制东方红卫星后，又将防辐射级太空电路列入研究项目。民用电子产品以收音机为主。70年代初，受国内外微电子业迅速发展的影响，加上集成电路的利润丰厚，国内出现一股电子热潮，全国建设了四十多家集成电路工厂，包括四机部下属的749厂（甘肃天水永红器材厂）、871厂（甘肃天水天光集成电路厂）、878厂（北京东光电工厂）、4433厂（贵州都匀风光电工厂）和4435厂（湖南长沙韶光电工厂）等，各省市另外投资建设了大批电子企业，为以后进行大规模集成电路的研究和生产提供了工业基础。

2、科研和生产成果：自力更生，逐渐缩小同国外差距

在科研和生产成果上，前三十年我国整体上紧跟世界相关领域的先进成就，不断缩小同发达国家的距离，下面是几个具有标志性的成果比较：

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。国外最早是在1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管。中外差距：10年。

1963年（一说1962年），河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。平面工艺技术是半导体元件制作中的一个关键环节，是制作集成电路的基础。国外最早是在1958年，由仙童半导体公司(Fairchild Semiconductor，也译作“飞兆公司”)首先发展出平面工艺技术。中外差距：5年。

1962年，为解决晶体管制造难题，中国人民解放军军事工程学院四系四○四教研室康鹏（25岁）临危受命，成功研发“隔离-阻塞振荡器”（后被命名为康鹏电路），解决了晶体管的稳定性问题，使中国比美国晚近8年进入晶体管时代。

在解决晶体管制造难题后，哈军工（由慈云桂主持设计）成功研制出新中国第一台全晶体管计算机441B-I于1964年诞生，比美国第一台全晶体管计算机RCA501只晚了6年。441B计算机1966年参加北京的计算机展览，恰逢邢台大地震，在地震中稳定运行。

1964年，吴几康成功研制119计算机，该计算机运算能力为每秒5万次，运算能力略强于美国于1958年制造的IBM 709计算机，IBM 709计算机的运算能力为每秒4.2万次。119计算机同1965年研制成功的109机，在我国研制氢弹的历程中立下很大功劳，被称为“功勋机”。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管―晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL（晶体管-晶体管逻辑）电路产品。DTL和TTL都是双极型数字集成电路，它们的研制成功标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。国外最早：1958年-1959年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路，1960年仙童半导体研发了第一块商用集成电路。中外差距：5-7年。

有了初级规模的集成电路，就有了制造第三代计算机（中、小规模集成电路）的基础。中国第一台第三代计算机是由位于北京的华北计算技术研究所研制成功的，采用DTL型数字电路，与非门是由北京电子管厂生产，与非驱动器是由河北半导体研究所生产，展出年代是1968年。国外最早是在1961年，德州仪器为美国空军研发出第一个基于集成电路的计算机，即所谓的“分子电子计算机”。中外差距：7年。

与双极型电路相比，MOS（金属氧化物）电路具有电路简单、功耗低、集成度高的优势。 1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属氧化物半导体）电路，拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路，之后又研制成CMOS电路（互补型MOS电路）。国外最早：1960年，美国无线电（RCA）制造出金属氧化物半导体晶体管。1962年，美国无线电（RCA）制造了一个实验性的MOS集成电路器件。1963年，仙童实验室研制成CMOS电路。中外差距：6-7年。

1972年，我国自主研制的大规模集成电路在四川永川半导体研究所诞生，实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越。国外：1971年，Intel（英特尔）推出1kb动态随机存储器（DRAM），包含2000多只晶体管，标志着大规模集成电路出现。中外差距：1年。

1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1K DRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年，但是比韩国、台湾要早四五年。此时，台湾才刚刚在向美国购买3英寸晶圆厂。

1975年，上海无线电十四厂成功开发出当时属国内最高水平的1024位移位存储器，集成度达8820个元器件，达到国外同期水平。到上世纪70年代末，我国又陆续研制出256和1024位ECL高速随机存储器，后者达到国际同期的先进水平；可以生产NMOS256位和4096位、PMOS1024位随机存储器；掌握了对于大规模集成电路制造起着重要作用的无显影光刻技术，可用于制造分子束外延设备。

总体来看，在这个时期，虽然美国计算机发展迅猛，但中国同行追得也很快，从无到有，差距逐渐缩小，甚至在某些局部领域追平西方，达到先进水平。中科院上海冶金所还独立发展了制造集成电路所需要的离子注入机，并出口到日本。

截至70年代末，中国科研人员和产业工人发扬自力更生、自强不息的精神，建成了中国自己的半导体工业，基本掌握了从单晶制备、设备制造、集成电路制造的全过程技术。在当时，只有美国、苏联掌握从单晶制备、设备制造、集成电路制造的全过程技术，虽然日本技术很强，但个别领域被美国限制和阉割。而此时，韩国、台湾才刚刚起步。

3、前三十年集成电路事业迅速赶超发展的经验

总结新中国前三十年集成电路事业的赶超发展，有几点经验值得今天学习（专业研究产业问题的学者铁流对此有很好的总结，笔者也颇为认同，以下部分参考了其文中的一些观点或论述）：

A.是坚持自主研发的赶超路线。

贯穿前三十年技术进步的是自力更生，艰苦奋斗的精神。50年代，即使我国已经引进了苏联的技术资料，依旧保留自己的技术研发团队，例如夏培肃于1954年即着手基本逻辑电路的设计、试验和运算器、控制器的逻辑设计，这为我国同苏联交恶后自主研制计算机打下了坚实的基础。此后，中国的科研工作人员在没有外援的情况下，自力更生，完成了一个又一个技术攻关。从有国外留学经验的老科学家，到共和国自己培养的年轻科研人员，都发挥了极大创造力，例如前述25岁就研发出“隔离-阻塞振荡器”，解决重大技术难题的康鹏。

这一时期，中国也抓住有利时机从国外引进先进技术设备。进行充分消化吸收。但无论是50年代末引进苏联技术资料，还是70年代通过特殊渠道少量购买欧美先进设备，走的是都“消化吸收、融会贯通、推陈出新、举一反三”的路线，技术引进不仅没对自主技术造成冲击，反而使其融入自己的工业体系中，使中国自主技术更上一层楼。

70年代，通过购买国外单台设备，我国自己组建了三条生产线，以缓解国内制造计算机的迫切需要。1972年美国总统尼克松访华后，中国开始从欧美引进技术。对于当时属于高科技领域的半导体产业，中国虽然始终无法从官方途径大规模引进半导体设备和技术资料，但也通过特殊渠道少量购买单机设备，并将其消化吸收后，大量仿制，推陈出新，搭建了自己的生产线。

在此期间，西方有意遏制中国尖端技术的发展势头，1973年我国7个单位分别从国外引进单台设备，以期建成七条3英寸工艺线，但由于欧美技术封锁等各种因素，最终拖了7年才引进，引进时已经落后于国际先进水平。这也说明不论什么时候，什么条件下，坚持自主创新为主始终是第一位的。

B.是重视科研投入和科研人才培养。

新中国前三十年的社会主义建设时期，我国依靠“高积累、低消费”的方式集中大量资源用于国家工农业基础设施的建设和国防技术研发，一代人吃两代人的苦，将一个落后的农业国建设成为拥有核武器的世界第六大工业国，计算机、集成电路这样的高科技产业也从无到有，发展壮大。

在此期间，虽然国家财政并不富余，但中国用于科技研发的经费占国民生产总值的平均比例为1.28%，达到当时几个初等发达国家的平均水平（如意大利、西班牙）；到70年代末，随着经济实力的提升该比值提升到2.32%，做到了竭尽所能为科研工作保障资金。这一投入远远超越改革开放后的水平（80年代中期以后一度降到0.6%以下），达到同期几个最发达国家英、法、西德的水平，仅比当时的美国、日本低一些（美国长期为2.8-3.0%，日本70年代以前1.6%，进入70年代后与美国接近）。

在人才方面，我国一方面积极吸引在海外留学、工作的技术人才回国效力；另一方面积极培育自己的人才，在开设短期速成班的同时，在院校开设计算机专业，培育专业技术人才，并送优秀尖子赴苏联深造。高水平的科研经费比例，保证了即便在困难时期和政治动荡的年份，也能尽可能的为科研人员提供基本的生活、工作条件。

C.是全国统筹协作的研发模式。

从前述列举的重大成就来看，当时的科研单位虽然分散在全国各地，但在重大问题的攻坚上却是协同作战和成功共享的。在全国统筹协作的举国体制下，各个单位互帮互助，以集中全国科研力量攻坚克难的方式解决了科研道路一个个难题。国家还经常举办各种展览会，方便各单位进行技术交流。

正是在自力更生、艰苦奋斗的精神和公有制体制的保障下，我国计算机和集成电路事业在前三十年取得了一个又一个成就。

4、新中国半导体及集成电路发展大事记：

1956年，中央提出了“向科学进军”的口号。周恩来随后主持制定了“十二年科学技术发展远景规划”（以下简称“科学规划”）。他有远见地提出和确定了四项“紧急措施”，即大力发展计算机、无线电电子学、半导体、自动化，并将新技术应用于工业和国防。

1956年，在周总理的正确领导下，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠钰(北方华虹设计公司董事长)。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。

1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后，发展极为迅猛，从SSI(小规模集成电路)起步，经过MSI(中规模集成电路)，发展到LSI(大规模集成电路)，然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路)，甚至发展到将来的GSI(甚大规模集成电路)，届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

1959年，天津拉制出硅(Si)单晶。

1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所(河北半导体研究所)。

1962年，天津拉制出砷化镓单晶(GaAs)，为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。

1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型(二极管――晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

1968年，组建国营东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，解放军1424研究所，现中电集团24所）。这是中国唯一的模拟集成电路研究所。同年上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属-氧化物半导体）电路。拉开了中国发展MOS集成电路的序幕。七十年代初，永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。

七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂(韶光电工厂)等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体(一)厂、航天部西安691厂等等。

1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

1973年，我国7个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条3英寸工艺线，最后只有北京878厂，航天部陕西骊山771所和贵州都匀4433厂。

1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1K DRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年，但是比韩国、台湾要早四五年。那时韩国、台湾根本就没有电子工业科研基础。

1975年，上海无线电十四厂成功开发出当时属国内最高水平的1024位移位存储器，集成度达8820个元器件，达到国外同期水平。

1976年11月，中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院109厂(现中科院微电子中心)研制的ECL型(发射极耦合逻辑)电路。

1978年10月，中国科学院成立半导体研究所，由王守武领导，研制4K DRAM，次年在中科院109厂投入批量生产（比美国晚六年）。

由于有周恩来主持制定的科学规划，新中国的集成电路产业起步和发展，在帝国主义的封锁下开了个好头，经过20余年的辛勤奋斗，尽管与世界发达水平还有一定距离，但也是硕果累累。（待续）