三星称中国芯片竞争力下降 在华建厂无需担忧技术外泄

环球网记者张哲报道，韩国媒体报道称，三星电子计划于2012年在中国大陆兴建下一代NAND闪存芯片生产线。据了解，NAND闪存是主要用于智能手机、平板电脑等通信终端的存储介质。目前，三星已向韩国知识经济部提交了申请书。

韩国《朝鲜日报》12月7日刊文表示，“三星冒着技术外泄的风险在中国大陆建存储芯片生产线，是为了抢占跃升为世界最大芯片市场的中国市场”。三星方面则表示，中国的芯片竞争力已“明显下降”，没有必要过于担心技术外泄问题。

报道称，中国正逐渐成为世界最大的IT产品生产基地。目前，全球96%的平板电脑和37%以上的智能手机都在中国生产，这些产品的核心零配件——存储芯片的使用量也年年剧增。据市场调查公司Gartner的数据，今年中国的芯片使用量达到全球产量的30%，是世界最大的芯片消费国。

三星电子表示，计划在中国兴建采用20纳米级以下尖端制造工艺的内存芯片生产线。如果中国建厂计划获得批准，该工厂将是三星电子继美国德克萨斯州的奥斯丁工厂之后的第二家海外芯片制造工厂。对于在中国建厂的理由，三星电子方面介绍说：“公司对当地消费者的需求可以做到快速反应及高效应对。”