海力士结束与东芝的法律争端，与闪迪建立联盟 - 彭博社

韩国的海力士半导体，长期以来与东芝在闪存芯片专利方面纠缠不清，已与这家日本公司达成了一项交叉许可协议，以结束法律争执。东芝和海力士分别是全球第二和第三大NAND闪存芯片制造商，自2004年11月东芝首次因涉嫌侵犯与数字相机、MP3音乐播放器及其他便携式数字设备中使用的NAND芯片设计和电路相关的专利而起诉海力士以来，双方一直在美国和日本的法庭上争斗不休。海力士也对东芝提起了反诉。

在3月21日，海力士还与SanDisk签署了一项类似的NAND相关专利交叉许可协议。海力士和这家美国存储卡制造商原则上还同意成立一家合资企业，生产使用所谓的x4（每个单元四位）技术的存储芯片。

该技术可能使芯片制造商降低成本，因为它的设计容量是单层单元（SLC）NAND的四倍，是现有多层单元（MLC）容量的两倍。海力士表示，它在SanDisk于2006年以15亿美元收购以色列的msystems有限公司之前，就已开始与该公司合作x4技术。